雙光子光刻技術（TPL）是一種基于雙光子聚合的激光直寫技術，這種技術能夠制造具有亞微米特征尺寸的任意復雜的三維結構。由于雙光子激光直寫技術，是基于逐點串行寫入的方式來實現三維加工，因此加工速度慢、效率低，很難同時滿足高精度和高速度；在大規模的工業生產中，傳統雙光子激光直寫技術的可擴展性也是有限的。
飛秒激光投影式雙光子技術通過實現逐層并行化的加工方式，可以將加工速度提高一千倍。然而，大面積并行化加工的方式，也改變了雙光子聚合過程中的時間和長度尺度。因此，建立并行投影雙光子的模型來準確預測飛秒投影雙光子加工期間的成像結果是具有挑戰性的。
為了解決這個問題，近期有文章做出了“一種飛秒投影雙光子光刻過程中光聚合的反應-擴散模型”的研究。提出了一種與飛秒投影雙光子相關的，在時間和長度尺度上生成的一個聚合過程的有限元模型。該模型基于聚合過程中的反應-擴散機制，可以應用這個模型來預測在各種條件下加工的納米線的幾何形狀，并將這些預測與經驗數據進行比較。研究表明，模型可以準確地預測到納米線的寬度。然而，長寬比預測的準確性會因光聚合物化學性質的不確定值而受到阻礙。
盡管如此，其研究的結果表明，反應-擴散模型可以準確地捕捉到可控參數對飛秒投影雙光子加工結果的影響，因此可以用于工藝控制和優化。
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